Wccftech – 5 Sep 26 (https://wccftech.com/snapdragon-8-elite-gen-6-pro-die-leak-heatsink-dram-cooling/)
Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro Live Chipset Die Leak Shows A Massive SoC Thanks... (https://wccftech.com/snapdragon-8-elite-gen-6-pro-die-leak-heatsink-dram-cooling/)
A new Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro live die leak reveals a massive SoC featuring an advanced heatsink solution designed to cool the DRAM efficiently
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传统的PoP(封装堆叠)技术预计将随着骁龙8 Elite Gen 6 Pro的发布而被淘汰。@LaidBackDev_ 分享的一张图片显示,这款芯片将不再采用堆叠在SoC芯片顶部的DRAM,而是将其放置在芯片侧面,并使用散热片进行散热,以实现最佳散热效果。乍一看,骁龙8 Elite Gen 6 Pro的面积似乎非常巨大。
然而,这仅仅是因为新的设计变更,我们对此表示赞赏,但这也就意味着高通的智能手机合作伙伴现在必须重新设计其设备的内部结构,以确保逻辑板的性能不受影响。此外,产品型号“SM8975”和“101-BC”也被提及,表明该版本将支持LPDDR5X内存,而不是速度更快、效率更高的LPDDR6内存。
由于DRAM现在被放置在侧面并使用散热片进行冷却,骁龙8 Elite Gen 6 Pro的CPU和GPU将拥有更大的散热空间,从而能够持续达到更高的时钟频率,带来更持久的性能提升,而不仅仅是在几分钟的基准测试中刷新纪录。我们还预计,利用台积电全新的2nm“N2P”架构也将有助于降低整体功耗,不过最终结果还需要等待首批基准测试结果才能确定。